Browsing by Author Phạm, Quang Hưng

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 3 of 3
  • V_L1_00042_Noi_dung.pdf.jpg
  • Thesis


  • Authors: Phạm, Quang Hưng;  Advisor: Nguyễn, Văn Mậu (1995)

  • Trình bày các tính chất, định nghĩa của toán tử khả nghịch phải, khả nghịch trái và suy rộng. Giới thiệu khái niệm, tính chất, công thức Taylo - Gontcharov và tính chất C(r) của toán tử ban đầu. Xét các bài toán nội suy. Nghiên cứu các bài toán biên cơ bản, xây dựng các toán tử của bài toán giá trị biên với đa thức các toán tử khả nghịch phải khi các toán tử ban đầu chỉ đòi hỏi thoả mãn tính chất C(r) suy rộng.; Electronic Resources; Luận án PTS. Khoa học Toán - Lý --Trường Đại học Tổng hợp Hà Nội, 1995

  • DT_00453.pdf.jpg
  • Other


  • Authors: Phạm, Văn Nho; Bùi, Văn Loát; Hoàng, Ngọc Thành; Nguyễn, Thế Hiện; Phan, Văn An; Trần, Kim Cương; Nguyễn, Thượng Hải; Võ, Lý Thanh Hà; Nguyễn, Thị Thu Hằng; Phạm, Anh Tuấn; Nguyễn, Quang Tiến; Phạm, Quang Hưng; Hoàng, Văn Nam; Dương, Đình Thuận; Hồ, Anh Quân; Đỗ, Thành Đạt; Lê, Duy Đảm; Davoli, Ivan; Dematteis. F.; Proposito. P.; Palazzesi. C. (2005)

  • Nghiên cứu phát triển phương pháp lắng kết sol-gel để chế tạo bột nano TiO2 từ tiền chất TiCl4. Nghiên cứu chế tạo màng nano tinh thể TiO2 xốp. Đồng thời nghiên cứu nânng cao phẩm chất chế tạo màng điện cực trong suốt dẫn điện TCO từ tiền chất SnCl4 và InCl3; nghiên cứu đặc trưng tiếp xúc của các vật liệu này với nano TiO2. Thông qua đó, ứng dụng màng nano TiO2 xốp, TCO để chế tạo điện cực pin mặt trời theo cấu trúc TiO2/SnO2:F; khảo sát tính chất của điện cực này trong cấu trúc pin mặt trời quang điện hoá; chế tạo quang trở nano TiO2. Tiến hành khảo sát tính chất của vật liệu chế tạo được thông qua các phép đo XRD, XPS, AUGER, SEM, AFM, đặc trưng VA, phổ hấp thụ, phổ truyền qua, quan...

  • document (1).pdf.jpg
  • Article


  • Authors: Phạm, Quang Hưng (1995)

  • Bài toán nội suy tổng quát và các bài toán giá trị biến đổi với đa thức các toán tử khả nghịch phải đã được D. Przeworska – Rolewicz, Nguyễn Văn Mậu, W.Z. Karwowski đưa ra và nghiên cứu từ năm 1988. Các kết quả của các tác giả nói trên đều dựa trên tính chất c(R) của lớp toán tử ban đầu đã cho. Tuy nhiên không phải tất cả các toán tử ban đều đều có tính chất c(R)

Browsing by Author Phạm, Quang Hưng

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 3 of 3
  • V_L1_00042_Noi_dung.pdf.jpg
  • Thesis


  • Authors: Phạm, Quang Hưng;  Advisor: Nguyễn, Văn Mậu (1995)

  • Trình bày các tính chất, định nghĩa của toán tử khả nghịch phải, khả nghịch trái và suy rộng. Giới thiệu khái niệm, tính chất, công thức Taylo - Gontcharov và tính chất C(r) của toán tử ban đầu. Xét các bài toán nội suy. Nghiên cứu các bài toán biên cơ bản, xây dựng các toán tử của bài toán giá trị biên với đa thức các toán tử khả nghịch phải khi các toán tử ban đầu chỉ đòi hỏi thoả mãn tính chất C(r) suy rộng.; Electronic Resources; Luận án PTS. Khoa học Toán - Lý --Trường Đại học Tổng hợp Hà Nội, 1995

  • DT_00453.pdf.jpg
  • Other


  • Authors: Phạm, Văn Nho; Bùi, Văn Loát; Hoàng, Ngọc Thành; Nguyễn, Thế Hiện; Phan, Văn An; Trần, Kim Cương; Nguyễn, Thượng Hải; Võ, Lý Thanh Hà; Nguyễn, Thị Thu Hằng; Phạm, Anh Tuấn; Nguyễn, Quang Tiến; Phạm, Quang Hưng; Hoàng, Văn Nam; Dương, Đình Thuận; Hồ, Anh Quân; Đỗ, Thành Đạt; Lê, Duy Đảm; Davoli, Ivan; Dematteis. F.; Proposito. P.; Palazzesi. C. (2005)

  • Nghiên cứu phát triển phương pháp lắng kết sol-gel để chế tạo bột nano TiO2 từ tiền chất TiCl4. Nghiên cứu chế tạo màng nano tinh thể TiO2 xốp. Đồng thời nghiên cứu nânng cao phẩm chất chế tạo màng điện cực trong suốt dẫn điện TCO từ tiền chất SnCl4 và InCl3; nghiên cứu đặc trưng tiếp xúc của các vật liệu này với nano TiO2. Thông qua đó, ứng dụng màng nano TiO2 xốp, TCO để chế tạo điện cực pin mặt trời theo cấu trúc TiO2/SnO2:F; khảo sát tính chất của điện cực này trong cấu trúc pin mặt trời quang điện hoá; chế tạo quang trở nano TiO2. Tiến hành khảo sát tính chất của vật liệu chế tạo được thông qua các phép đo XRD, XPS, AUGER, SEM, AFM, đặc trưng VA, phổ hấp thụ, phổ truyền qua, quan...

  • document (1).pdf.jpg
  • Article


  • Authors: Phạm, Quang Hưng (1995)

  • Bài toán nội suy tổng quát và các bài toán giá trị biến đổi với đa thức các toán tử khả nghịch phải đã được D. Przeworska – Rolewicz, Nguyễn Văn Mậu, W.Z. Karwowski đưa ra và nghiên cứu từ năm 1988. Các kết quả của các tác giả nói trên đều dựa trên tính chất c(R) của lớp toán tử ban đầu đã cho. Tuy nhiên không phải tất cả các toán tử ban đều đều có tính chất c(R)