ác kết quả đạt được có thể áp dụng vào lý thuyết độ phức tạp tính toán nhằm kiểm tra xem khả năng tính được của một số lớp hàm toán học cũng như chứng minh một số vấn đề là giải được, không giải được theo độ phức tạp thời gian đa tức trên các mô hình đã và đang nghiên cứu. Nghiên cứu các tính chất của độ phức tạp tính toán theo mô hình máy Blum-Shub-Smale xử lý trên số thực. Nghiên cứu các tính chất của độ phức tạp tính toán theo mô hình mở rộng của Hemmerling trên cấu trúc đại số.
Màng mỏng SnO2 (F) trong suốt và dẫn điện cao đã được chế tạo bằng phương pháp phun. Phổ nhiễu xạ tia X, phổ truyền qua và điện trở bề mặt của màng SnO2 (F) đã được nghiên cứu. ảnh hưởng của nhiệt độ đế, thời gian phun và nồng độ NH4F lên tính chất của màng đã được thông báo. Các màng tốt nhất có điện trở bề mặt khoảng 20ôm cm2 và độ truyền qua khoảng 80-85% ở vùng nhìn thấy.
ác kết quả đạt được có thể áp dụng vào lý thuyết độ phức tạp tính toán nhằm kiểm tra xem khả năng tính được của một số lớp hàm toán học cũng như chứng minh một số vấn đề là giải được, không giải được theo độ phức tạp thời gian đa tức trên các mô hình đã và đang nghiên cứu. Nghiên cứu các tính chất của độ phức tạp tính toán theo mô hình máy Blum-Shub-Smale xử lý trên số thực. Nghiên cứu các tính chất của độ phức tạp tính toán theo mô hình mở rộng của Hemmerling trên cấu trúc đại số.
Màng mỏng SnO2 (F) trong suốt và dẫn điện cao đã được chế tạo bằng phương pháp phun. Phổ nhiễu xạ tia X, phổ truyền qua và điện trở bề mặt của màng SnO2 (F) đã được nghiên cứu. ảnh hưởng của nhiệt độ đế, thời gian phun và nồng độ NH4F lên tính chất của màng đã được thông báo. Các màng tốt nhất có điện trở bề mặt khoảng 20ôm cm2 và độ truyền qua khoảng 80-85% ở vùng nhìn thấy.
