Ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng Ettinghaushen trong siêu mạng hợp phần

Abstract

Luận văn thiết lập được phương trình động lượng tử cho phonon giam cầm trong siêu mạng hợp phần. Xây dựng được biểu thức giải tích của trường điện từ trong siêu mạng hợp phần khi có ảnh hưởng của phonon giam cầm (cơ chế tán xạ điện tử - phonon quang). Từ đó kết luận hệ số EC phụ thuộc phức tạp và phi tuyến vào tần số của sóng điện từ , tần số phonon ,cường độ điện – từ trường và nhiệt độ của hệ. Các kết quả lý thuyết đã được tính toán số và vẽ đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số Ettinghausen vào các thông số đối với hố lượng tử GaAs/GaAsAl. Các kết quả thu được trong luận văn là mới và có giá trị khoa học, góp phần vào phát triển lý thuyết về hiệu ứng quang kích thích Ettinghaushen trong bán dẫn thấp chiều.