Khảo sát và tối ưu màng mỏng ôxít bán dẫn nền Zn và Cu định hướng ứng dụng chế tạo pin mặt trời

Abstract

Đã nghiên cứu một cách hệ thống và tìm ra quy trình chế tạo tối ưu các dung dịch tiền chất và các màng mỏng có nền Zn và Cu ở dạng pha tạp và không pha tặp bằng phương pháp dung dịch. Chế tạo thành công màng mỏng bán dẫn Zn và Cu có chất lượng tốt, không nứt gãy. Màng mỏng loại n ZnO: Al thu được có kích thước 20x20 mm, độ truyền qua cỡ 90 % tại vùng ánh sáng nhìn thấy, điện trở suất thấp cỡ 10 mũ -1 Ω.cm. Màng mỏng loại p CuO thu được có kích thước 20x20 mm, điện trở suất cỡ 10 mũ 1 Ω.cm. Bước đầu chế tạo thành công linh kiện thử nghiệm: Transistor dạng màng mỏng và pin mặt trời. Các link kiện thử nghiệm đã hoạt động và cho các đặc trưng cơ bản của thiết bị