- Thesis
Authors: Phạm, Trí Dũng; Advisor: Mai, Thị Lan; Nguyễn, Quang Báu (2019) - Đối tượng nghiên cứu của luận văn là hệ Mullite 3Al2O3•2SiO2. Luận văn tập trung nghiên cứu vào các vấn đề sau: Xây dựng mô hình động lực học phân tử hệ Mullite. Phân tích hàm phân bố xuyên tâm và độ dài liên kết các cặp nguyên tử khi có sự thay đổi áp suất nén. Khảo sát số phối trí trung bình và sự thay đổi cấu trúc trật tự gần và cấu trúc trật tự khoảng trung. Phân tích góc liên kết O–T–O và T–O–T trong các đơn vị cấu trúc. Các loại liên kết trong các đơn vị cấu trúc TOx và sự phân bố các đơn vị cấu trúc TOx dưới ảnh hưởng của áp suất nén. Cấu trúc mạng của hệ Mullite thay đổi khi tăng áp suất nén. Phân bố các đám nguyên tử trong hệ Mullite.
|
- Thesis
Authors: Vũ, Thị Hải Yến; Advisor: Nguyễn, Thu Hương; Nguyễn, Quang Báu (2021) - Luận văn thiết lập được phương trình động lượng tử cho phonon giam cầm trong siêu mạng hợp phần. Xây dựng được biểu thức giải tích của trường điện từ trong siêu mạng hợp phần khi có ảnh hưởng của phonon giam cầm (cơ chế tán xạ điện tử - phonon quang). Từ đó kết luận hệ số EC phụ thuộc phức tạp và phi tuyến vào tần số của sóng điện từ , tần số phonon ,cường độ điện – từ trường và nhiệt độ của hệ. Các kết quả lý thuyết đã được tính toán số và vẽ đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số Ettinghausen vào các thông số đối với hố lượng tử GaAs/GaAsAl. Các kết quả thu được trong luận văn là mới và có giá trị khoa học, góp phần vào phát triển lý thuyết về hiệu ứng quang kích thích Ettinghaushe...
|
- -
Authors: Nguyễn, Xuân Hà; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2015) - Luận văn ThS. Vật lý lý thuyết và vật lý toán -- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên. Đại học Quốc gia Hà Nội, 2015
|
- Thesis
Authors: Hoàng, Thị Hường; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2015) - Luận văn ThS. Vật lý lý thuyết và vật lý toán -- Trường Đại học Khoa học Tự nhiên. Đại học Quốc gia Hà Nội, 2015; Chương 1: Dây lượng tử hình trụ và lý thuyết lượng tử về hiệu ứng radio điện trong bán dẫn khối. Chương 2: Phương trình động lượng tử và hiệu ứng radio điện trong dây lượng tử hình trụ với thế cao vô hạn khi kể đến ảnh hưởng của phonon giam cầm. Chương 3: Tính toán số và vẽ đồ thị kết quả lý thuyết cho dây lượng tử hình trụ với thế cao vô hạn GaAs/GaAsAl.
|
- Thesis
Authors: Nguyễn, Thị Lâm Quỳnh; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2014) - Dưới ảnh hưởng của từ trường điện từ mạnh cao tần, cùng sự tương tác của điện tử và phonon, trong bán dẫn khối cũng như các hệ thấp chiều xuất hiện các hiệu ứng vật lý thu hút sự quan tâm nghiên cứu của nhiều nhà khoa học. Trong số các hiệu ứng vật lý được nghiên cứu, ta không thể không kể tới hiệu ứng radio – điện. Nghiên cứu về hiệu ứng radio – điện trong bán dẫn khối với các cơ chế tán xạ điện tử – phonon âm hay điện tử – phonon quang đã thu được những kết quả cụ thể. Trên cơ sở đó, ta có thể tính toán, khảo sát hiệu ứng này đối với các hệ thấp chiều khi chưa kể tới sự ảnh hưởng của phonon giam cầm. Tính đến ảnh hưởng của sự giam cầm phonon lên hiệu ứng radio – điện trong các cấu t...
|
- Thesis
Authors: Lê, Thái Hưng; Advisor: Nguyễn, Quang Báu; Nguyễn, Vũ Nhân (2013) - Thiết lập biểu thức giải tích cho hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh
bởi điện tử giam cầm trong bán dẫn thấp chiều cho cả hai trường hợp vắng mặt và có
mặt từ trường ngoài, khi xét đến ảnh hưởng của phonon giam cầm.Thiết lập biểu thức
giải tích cho biên độ trường ngưỡng và hệ số biến đổi tham số giữa phonon âm và
phonon quang trong hệ bán dẫn hai chiều và một chiều. Khảo sát vẽ đồ thị sự phụ
thuộc của hệ số hấp thụ, biên độ trường ngưỡng và hệ số biến đổi tham số vào các
tham số của hệ, của cấu trúc vật liệu cho các cấu trúc bán dẫn cụ thể. So sánh với
trường hợp phonon không giam cầm để thấy rõ ảnh hưởng của phonon giam cầm.
|
- Thesis
Authors: Lê, Thị Quỳnh Trang; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2018) - Thế giới đang chuyển mình trong cuộc cách mạng công nghiệp 4.0, các nước trên thế giới đang tích cực nghiên cứu và phát triển lĩnh vực khoa học công nghệ mới và phát triển các loại vật liệu mới. Khi nghiên cứu hệ bán dẫn thấp chiều cụ thể là cấu trúc một chiều và không chiều (như siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử, chấm lượng tử…) các nhà khoa học đã phát hiện ra nhiều tính chất đặc biệt của loại vật liệu này so với vật liệu khối. (Vật liệu thấp chiều là loại vật liệu mà chiều chuyển động của điện tử trong hệ bị hạn chế. Điện tử trong hệ thấp chiều ngoài việc chịu ảnh hưởng của thế tuần hoàn của tinh thể nó còn chịu ảnh hưởn...
|
- Theses
Authors: Nguyễn, Thị Ngát; Advisor: Nguyễn, Văn Nghĩa; Nguyễn, Quang Báu (2018) - Luận văn đưa ra được biểu thức dòng âm điện phi tuyến trong siêu mạng pha tạp dưới
ảnh hưởng của phonon giam cầm khi có mặt sóng điện từ, tính toán số và vẽ đồ thị.
Khi cho tham số bằng không thì biểu thức giải tích trở về trường hợp tương ứng khi
không có mặt sóng điện từ.
|
- Thesis
Authors: Tăng, Thị Diên; Advisor: Nguyễn, Thu Hương; Nguyễn, Quang Báu (2023) - Các kết quả chính của luận văn: 1. Thu được các biểu thức giải tích của hệ số Nernst cho hai loại dây lượng tử bao gồm dây lượng tử hình chữ nhật và dây lượng tử hình trụ. Những kết quả này đã tính đến ảnh hưởng của phonon quang giam cầm, sóng điện từ mạnh, và phù hợp cho toàn dải nhiệt độ bao gồm từ nhiệt độ thấp đến nhiệt độ cao. Kết quả này được tính số và vẽ đồ thị cho các dây lượng tử của GaAs. 2. Đã chỉ ra được ảnh hưởng của phonon quang giam cầm đến hệ số Nernst như: phonon quang giam cầm làm dịch chuyển vị trí đỉnh cộng hưởng của hệ số Nernst, làm xuất hiện các đỉnh mới so với trường hợp phonon khối. • Chứng minh được điều kiện cộng hưởng - từ phonon trong dây lượng tử hình tr...
|
- Thesis
Authors: Đào, Thanh Huệ; Advisor: Nguyễn, Công Toản; Nguyễn, Quang Báu (2024) - Luận văn nghiên cứu ảnh hưởng của phonon giam cầm lên hiệu ứng Nernts trong siêu mạng hợp phần hai chiều với hai cơ chế tán xạ: điện tử - phonon âm giam cầm và điện tử - phonon quang giam cầm bằng cách sử dụng phương trình động lượng tử và tính số cho siêu mạng hợp phần GaAs/Al0,25Ga0,75As. Kết quả thu được biểu thức giải tích cho ten xơ độ dẫn, ten xơ động và hệ số Nernts. Hệ số Nernts là hàm giải tích phụ thuộc phi tuyến và phức tạp vào từ trường không đổi, điện trường không đổi, tần số và cường độ sóng điện từ, nhiệt độ của hệ, các tham số đặc trưng cho siêu mạng hợp phần, đặc biệt là chỉ số giam cầm của phonon. Các kết quả được tính số và vẽ đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số...
|
- Thesis
Authors: Đoàn, Thị Hằng; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2016) - Chương 1: Tổng quan về dây lượng tử và lý thuyết lượng tử về hiệu ứng Hall trong bán dẫn khối. Chương 2: Ảnh hưởng của sóng điện tử lên hệ số hall và từ trở hall trong dây lượng tử hình chữ nhật (cơ chế tán xạ điện tử - phonon âm). Chương 3: Kết quả tính toán số và thảo luận cho dây lượng tử hình chữ nhật hố thế cao vô hạn.
|
- -
Authors: Nguyễn, Thị Thu Mến, 1990-; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2016) - Chương 1: Dây lượng tử và lý thuyết lượng tử về hiệu ứng HALL trong hệ 2 chiều. Chƣơng 2: Phương trình động lượng tử và biểu thức giải tích cho hệ số Hall, biểu thức từ trở Hall trong dây lượng tử hình chữ nhật (cơ chế tán xạ điện tử -phonon quang). Chương 3: Tính toán số và vẽ đồ thị kết quả lý thuyết cho dây lượng tử hình chữ nhật với thế cao vô hạn của GaAs/GaAsAl.
|
- Thesis
Authors: Tô, Duy Quang; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2016) - Trong luận văn này, mục tiêu của chúng tôi là nghiên cứu ảnh hưởng của sóng ddienj tử mạnh lên hiệu ứng Hall trong siêu mạng hợp phần dựa trên cơ sở là phương trình động lượng tử cho hệ điện tử trong siêu mạng vơi trường hợp cụ thể là trường dọc theo trục siêu mạng. Loại tương tác mà chúng tôi quan tâm đến là tương tác giữa electron với phonon quang ở miền nhiệt độ cao. Bằng việc giải phương trình động lượng tử với các điều kiện kể trên cho siêu mạng hợp phần, chúng tôi sẽ thu nhận được biểu thức giải tích cho tenxo độ dẫn Hall và hệ số Hall trong siêu mạng hợp phần và từ đó tính số để thu được các mô tả và suy diễn được các tính chất của siêu mạng hợp phần dưới ảnh hưởng của sóng điệ...
|
- Dissertation
Authors: Đào, Thu Hằng; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2021) - Mục tiêu của luận án là nghiên cứu hiệu ứng Ettingshausen trong hệ bán dẫn hai chiều dưới ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh. Cụ thể như sau: hiệu ứng Ettingshausen trong hố lượng tử với thế parabol, siêu mạng pha tạp và siêu mạng hợp phần có kể đến ảnh hưởng của sóng điện từ. Kết quả của luận án bao gồm biểu thức giải tích của ten-xơ động học, hệ số Ettingshausen trong từng vật liệu cụ thể của hệ hai chiều. Các kết quả được tính toán số và so sánh với thực nghiệm, lý thuyết đã công bố trước đây.
|
- Thesis
Authors: Sa, Thị Lan Anh; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2012) - Giới thiệu về hố lượng tử và bài toán về hệ số hấp thụ sóng điện từ trong bán dẫn khối. Nghiên cứu hấp thụ phi tuyến sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử khi có mặt trường bức xạ có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon. Tính toán số và vẽ (...)
|
- Thesis
Authors: Nguyễn, Hữu Chiến; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2012) - Chương 1: Tổng quan về siêu mạng pha tạp và bài toán hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong bán dẫn khối khi có mặt sóng điện từ mạnh. Chương 2: Hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp dưới ảnh hưởng của sóng điện từ mạnh có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon (trường hợp tán xạ điện tử-phonon âm). Chương 3: Tính toán số cho siêu mạng pha tạp n-GaAs/p-GaAs và bàn luận.
|
- Thesis
Authors: Đào, Thu Hằng; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2012) - Giới thiệu về siêu mạng pha tạp và bài toán về hệ số hấp thụ sóng điện từ trong bán dẫn khối. Phân tích phương trình động lượng tử và biểu thức giải tích của hệ số hấp thụ sóng điện từ yếu bởi điện tử giam cầm trong siêu mạng pha tạp dưới ảnh hưởng sóng điện từ mạnh có kể đến hiệu ứng giam cầm của phonon. Tính toán số và vẽ đồ thị kết quả lý thuyết cho siêu mạng pha tạp n-GaAs/p-GaAs.
|
- Dissertation
Authors: Nguyễn, Thị Nguyệt Ánh; Advisor: Lương, Văn Tùng; Nguyễn, Quang Báu (2023) - Để đạt được mục tiêu đó, chúng tôi tiến hành thực hiện các nội dung nghiên cứu sau:Xây dựng phương trình động lượng tử cho hàm phân bố điện tử trong các hệ bán dẫn một chiều (dây lượng tử) có kể đến sự giam cầm của điện tử và của phonon. Thiết lập biểu thức giải tích cho hàm phân bố không cân bằng của điện tử, tính toán mật độ dòng, ten-xơ độ dẫn, hệ số động đặc trưng cho EE và PE trong các hệ bán dẫn một chiều (dây lượng tử). Khảo sát, vẽ đồ thị sự phụ thuộc của các hệ số động, mật độ dòng và ten-xơ
độ dẫn vào các thông số của hệ và các tham số cấu trúc vật liệu của các mẫu bán dẫn
cụ thể. Tiến hành so sánh với các kết quả trong trường hợp bán dẫn khối, trường hợp
phonon không gia...
|
- Dissertations
Authors: Nguyễn, Thị Lâm Quỳnh; Advisor: Nguyễn, Bá Đức; Nguyễn, Quang Báu (2022) - Thiết lập phương trình động lượng tử cho hàm phân bố của điện tử trong các hệ 2D bao gồm QW, DSS, CSS khi có mặt điện trường không đổi, từ trường, sóng điện từ mạnh và có xét đến sự giam cầm của cả điện tử và phonon. Giải phương trình động lượng tử, tìm hàm phân bố không cân bằng của điện tử, tính toán mật độ dòng toàn phần, mật độ thông lượng nhiệt; từ đó đưa ra biểu thức giải tích cho các ten-xơ động, EC và PC trong các hệ 2D kể trên. Tính toán số, vẽ đồ thị sự phụ thuộc của EC và PC vào các đại lượng đặc trưng của trường ngoài và các tham số cấu trúc của vật liệu đối với các hệ 2D tiêu biểu. Đánh giá các kết quả thu được, so sánh với kết quả thu được trong bán dẫn khối và trong cá...
|
- Thesis
Authors: Đỗ, Tuấn Long; Advisor: Nguyễn, Quang Báu (2018) - Luận án đã dẫn ra phương trình động lượng tử cho hàm phân bố electron trong hố lượng tử, siêu mạng hợp phần, siêu mạng pha tạp, dây lượng tử hình trụ, dây lượng tử hình chữ nhật khi có mặt bức xạ laser, điện trường không đổi, từ trường mạnh hoặc sóng điện từ phân cực thẳng và có kể đến sự giam cầm của phonon. Tìm được biểu thức giải tích của ten-xơ độ dẫn Hall, hệ số Hall, từ trở trong các hệ bán dẫn hai chiều dưới ảnh hưởng của phonon quang giam cầm. Thu lại được các kết quả giới hạn cho trường hợp phonon quang không giam cầm. Tính số các kết quả giải tích cho hố lượng tử AlGaAs/GaAs/AlGaAs, siêu mạng hợp phần GaAs/AlxGa1-xAs và siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be. Phonon quang giam cầ...
|
